華測 介電儲能材料電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)

Huace-DCS10KV

華測 介電儲能材料電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：

Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)的能量密度，測試時，樣品的電荷是放回到高壓源上，而不是釋放到負(fù)載上，通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度，無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量，測試電路如下圖所示。在該電路中，首先將介電膜充電到給定電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān)，存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計開發(fā)，更符合電介質(zhì)充放電原理。

主要參數(shù)：

1、電流探頭帶寬：120MHz；

2、峰值電流：0-100A，150 A(多種電流可監(jiān)測）；

3、電流采集精度：1mA；

4、高壓源模塊：3KV，5KV， 10kV，15KV多可選（電流：0-5mA）；

5、開關(guān)適用：100萬次，耐壓15kV；

6、溫控范圍：0-200℃；

7、溫度穩(wěn)定性和精度：0.1℃；

8、測試樣品：薄膜，厚膜，陶瓷，玻璃等；

9、可以配合各種極化設(shè)備進行多種壓電材料和介電材料的測試。

產(chǎn)品優(yōu)勢 ：

1、本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān)，通過單刀雙擲控制充電和放電過程，開關(guān)可以承受10kV高壓，寄生電容小，動作時間短；

2、電壓10kV，電流5mA；

3、可外接高壓放大器或高壓直流電源；

4、通過電流探頭檢測放電電流，可達100A；

5、可以實現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測試模式，欠阻尼測試時，放電回路短路，不使用電阻負(fù)載，過阻尼測試時，使用較大的高精度無感電阻作為放電負(fù)載；

6、可以作為一個信號源，產(chǎn)生任意波形；

7、通過示波器采集數(shù)據(jù)，并能直接計算儲能密度；

8、定制載樣平臺，可適用于陶瓷和薄膜樣品測試；

9、可以進行變溫測試，RT~200℃；

10、可以進行疲勞測試；

11、還可用于極化材料之用。

儲能電介電放電行為:

華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量。在該電路中，首先將介電膜充電到給定電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān)，存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度，可通過改變負(fù)載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)。通常測試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中，用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得得所需的電阻，并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質(zhì)材料。在該電路中，選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲存的能量非常重要。該開關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機構(gòu)成。在測試中，測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度，測試樣品上的電壓可以由計算機自動獲得。